杨恢东

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杨恢东,男,博士,教授,教研室主任。1985年9月~1992年7月就读于武汉大学物理系半导体专业,获硕士学位,2000年9月~2003年6月,在南开大学光电所攻读博士学位。
中文名
杨恢东
外文名
Yang Huidong
国    籍
中国
民    族
职    业
教授
毕业院校
武汉大学
职    称
博士,教授
性    别

杨恢东人物经历

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1992年7月至2004年2月,工作于五邑大学薄膜与纳米材料研究所,从事半导体纳米材料制备、光电特性及其应用等方面的研究工作,先后参与或承担省自然科学基金2项、国家自然科学基金3项,江门市科技攻关项目1项。在南开大学光电所攻读博士学位期间,参与承担 “973”国家重点基础研究发展规划项目和教育部科学技术研究重大项目的研究,曾经获得南开大学2003年度科技论文SCI、EI、ISTP三大检索总排名第三。
2004年3月调入暨南大学电子系,主要从事半导体光电子薄膜材料与器件、集成电路设计等领域研究工作。目前,主要承担暨南大学自然科学基金项目和广东省自然科学博士启动基金项目各一项,并兼任半导体学报、IEEE-transactions on plasma science等国内外权威杂志审稿人。
近年来,在Int. Journal of Modern Physics、Thin Solid Films、Chinese Physics、半导体学报、物理学报、光学学报等国内外学术刊物上发表论文40多篇,其中SCI收录11篇,EI收录16篇,ISTP收录6篇。

杨恢东社会职务

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广东省材料学会光伏专业委员会委员
广东省绿色能源技术重点实验室学术委员会委员
广东省企业发展战略研究会副秘书长

杨恢东荣誉与奖励

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1.获奖情况:
2001.10 市级自然科学优秀论文一等奖
2002.10 南开大学优秀研究生奖
2003.11 市级自然科学优秀论文一等奖、二等奖各一项
2005.5 南开大学2003年度科技论文《SCIE》、《EI》、《ISTP》三大检索总排名第三
2.主要成果:
(1)a-Si PIN/PLED器件研究(成果登记号:津20032038)
(2)倒置有机发光器件研究及其有源选址矩阵探索(成果登记号:津20042083)[1] 

杨恢东研究领域

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主要从事纳米半导体材料、纳米磁性多层膜、薄膜半导体光电子材料与器件、有机发光显示驱动以及集成电路设计等领域研究工作。

杨恢东承担课题:

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  1.国家自然科学基金:
  1) 离子注入非连续多层膜巨磁电阻效应的研究(59771026),1998-2000,12万元,参加。
  2) GaAs纳米颗粒膜中混和激子超快光学非线性及其应用研究(69806008),1999-2001,16万元,参加。
  3) 倒置有机发光器件及其有源选址矩阵探索(60077011),2001-2003,16万元,参加。
  2.“973”国家重点基础研究发展规划项目:低温晶化硅薄膜材料及非晶硅/低温晶化硅叠层电池的研究(G2000028203),2000-2005,427万元,参加。
  3.教育部科学技术研究重大项目:低温晶化硅薄膜太阳电池的研究(02167).2003-2005,20万元,参加。
  4.广东省自然科学基金:
  1) 半导体/介质纳米颗粒镶嵌薄膜非线性光学性质的研究(970716).1998-1999,7.8万元,参加。
  2) 面心四方磁性合金-碳纳米颗粒膜超高密硬盘介质的研究(010482).2002-2004,6万元,参加。
  3) 微晶硅薄膜甚高频PECVD法高速沉积与生长机理研究(5300378)2006-2007,主持。
  4) 甚高频PECVD法低温沉积微晶硅薄膜太阳能电池研究(06025195),2007-2008,主持。
  5.国家重点实验室开放课题:GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜中光生载流子驰豫过程的研究,1999.1-2001.7,2万元,参加。
  6.广东省科技计划项目:高比功率柔性硅薄膜叠层太阳能电池的研究(2006A10702001),2007-2008,20万元,主持。
  7.江门市科技攻关项目:甚高频PECVD法沉积微晶硅薄膜及生长动力学研究(江财企61号),2003-2004,3万元,主持。
  8.广州市科技攻关项目:超高频无源RFID电子标签芯片的研制(2006Z3-D3011),40万元,2005-2008,参加。
  9.暨南大学自然科学基金:甚高频PECVD法沉积微晶硅薄膜及生长动力学研究(51204056),2004-2006,4万元,主持。
  10.国家高技术研究发展计划(863)项目:单室低成本新型高效硅基薄膜叠层电池制造技术研究(2007AA05Z436),2007-2011,80万元,参加,排名第三。
  11.省部产学研结合重点项目:高效低成本非晶硅/微晶硅异质结叠层太阳能电池(2008A090400011),2009-2010,100万元,第一合作单位项目主持人。
  12.粤港关键领域重点突破项目:高性价比非晶硅/微晶硅叠层太阳电池制造及光伏发电示范工程(2008A011800005),2009-2011,250万元,第一合作单位项目主持人。[2] 

杨恢东主要论文

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  (1) 非晶硅/微晶硅过渡区材料的PECVD法制备与特性研究,第十届中国太阳能光伏会议论文集,浙江大学出版社,2008,363-367。
  (2) 柔性衬底上a-SiNx:H绝缘介质薄膜的制备与特性研究,第十届中国太阳能光伏会议论文集,浙江大学出版社,2008,396-399。
  (3) 掺杂浓度对P型c-Si:H材料特性的影响,第十届中国太阳能光伏会议论文集,浙江大学出版社,2008,494-497。
  (4) 微晶硅薄膜VHF-PECVD法制备中等离子体功率的调制作用,光电子激光,2007,18(5):558-563(EI收录)。
  (5) SubstrateeffectonhydrogenatedmicrocrystallinesiliconfilmsdepositedwithVHF-PECVDtechnique,金属学报(英文版),2006,19(4):295-300(EI收录)。
  (6) RoleofhydrogeninhydrogenatedmicrocrystallinesiliconfilmandindepositionprocesswithVHF-PECVDtechnique,ChinesePhysics,2006,15(6):1374-1378(SCI收录)。
  (7) 衬底温度对微晶硅薄膜沉积与结构特性的影响,光电子激光,2005,15(6):646-649(EI收录)。
  (8) Influenceofsubstratetemperatureonthedepositionandstructuralpropertiesofmc-Si:HthinfilmsfabricatedwithVHF-PECVD,Opto-ElectronicsLetters,2005,1(1):0021-0023。
  (9) 弱硼掺杂补偿对对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响,半导体学报,2005,26(6):1164-1168(EI收录)。
  (10) StructuralpropertiesinvestigationonmicrocrystallinesiliconfilmsdepositedwithVHF-PECVDtechnique,金属学报(英文版),2005,18(3):223-227(EI收录)。
  (11) Opticalemissionspectroscopy(OES)investigationonVHFplasmaanditsglowdischargemechanismduringthemc-Si:Hfilmdeposition,ThinSolidFilms(SCI收录).2005,472(1-2):125-129。
  (12) VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜,太阳能学报,2004,(2):(EI收录)。
  (13) InvestigationontheoxygencontaminationduringthedepositionofμC-Si:HthinfilmbyVHF-PECVD,太阳能学报(增刊),2003,:5-8(EI收录)。
  (14) 薄膜a-SiPIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟,半导体学报,2002,23(8):846-851(EI收录)。
  (15) FabricationofHydrogenatedMicrocrystallineSiliconThinFilmsatLowTemperaturebyVHF-PECVD,半导体学报,2002,23(9):902-908(9)(EI收录)。
  (16) Highgrowth-ratedepositionofc-Si:HthinfilmatlowtemperaturewithVHF-PECVD,InternationalJournalofmodernPhysicsB,2002,16(28&29):4259-4262(SCI收录,ISTP收录)。
  (17) InvestigationonGlowDischargeDynamicMechanismofVHF-PECVDToPrepareMicrocrystallineSiliconThinFilm,InternationalJournalofmodernPhysicsB,2002,16(28&29):4475-4478(SCI收录,ISTP收录)。
  (18) VHF等离子体光发射谱(OES)的在线监测,物理学报,2003,52(9):2324-2330(SCI收录,EI收录)。
  (19) Investigationontheroleofoxygeninμc-Si:HthinfilmanditsdepositionprocesswithVHF-PECVD。ConferenceRecordoftheIEEEPhotovoltaicSpecialistsConference,2002,p1262-1265(EI收录,ISTP收录)。
  (20) Investigationontheroleofoxygeninμc-Si:HthinfilmdepositedwithVHF-PECVD,Proceddingsofthe3rdWorldConferenceonPhotovoltaicEnergyConversion,2003,p1647-1650(EI收录,ISTP收录)。
  (21) 甚高频PECVD法沉积c-Si:H薄膜中氧污染的初步研究,物理学报,2003,52(11):2865-2869(SCI收录,EI收录)。
  (22) 氢化非晶/微晶硅制备中射频辉光放电等离子体的光发射谱研究,光电子激光,2003,14(4):375-379(EI收录)。
  (23) 激光Z扫描测量技术,激光技术,2000,24(4):195-202(EI收录)。
  (24) 激光Z扫描技术的理论与实验,光电子激光,1999,10(1):90-94(EI收录)。
  (25) 纳米半导体薄膜制备技术,真空与低温,1999,5(2):81-87。
  (26) 纳米材料制备技术研究进展,五邑大学学报,1999,13(4):17-25。
  (27) 掺氢GaAs薄膜的表面形貌及光学性质研究,云南大学学报,2005,27(5A):609-612。
  (28) anoveldesignofsub-frameandcurrentdrivingmethodforPM-OLED,SID,2002,42.1:1174-1177。
  (29) asimulationmethodfora-SiPIN/OLEDcouplingdevice,Proceedingsofthe7thAsianSymposiumoninformationDisplay(ASID’2002):217-220。
  (30) FabricationandcharacterizationofInPnanocrystalsembeddedinSiO2matrixbyRFmagnetronco-sputtering.MaterialsChemistryandPhysics,2002,76:262-266(SCI收录,EI收录)。
  (31) Numericalsimulationoftheinfluenceofthegapstateofa-Si:Honthecharacteristicsofa-Si:Hp-i-n/OLEDcouplingdevice,MATERIALSRESEARCHSOCIETYSYMPOSIUMPROCEEDINGS,762,223-228,2003(SCI收录、EI收录,ISTP收录)。
  (32) a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化,光电子激光,2001,12(12):1222-1225.(EI收录)。
  (33) 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析,半导体学报,2001,22(9):1176-1181.(EI收录)。
  (34) GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究,光学学报,光学学报,2000,20(6):847-851(SCI收录,EI收录)。
  (35) 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展,半导体技术,2000,25(2):1-6。
  (36) 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学,半导体技术,2000,25(3):38-42。
  (37) CaⅠ3d6p和3d4f态的新VUV光谱测量和研究,原子与分子物理学报,1999,16(3):381-384。
  (38) 巨磁电阻薄膜及巨磁电阻随机寄存器,微细加工技术,1998,(1):33-36(EI收录)。
  (39) InfluenceofannealingconditionsonthechemicalstatesofInP/SiO2nanocompositefilmsdepositedbyRFmagnetronco-sputtering,SPIE,2000,4086:213-216.FOURTHINTERNATIONALCONFERENCEONTHINFILMPHYSICSANDAPPLICATIONS4086:213-216,2000(ISTP收录)。
  (40) 有机发光器件中缺陷态行为表现,光电子激光,2002,13(5):445-449.(EI收录)。
  (41) 镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态,半导体技术,1998,23(2):6-10。
  (42) 高密度磁记录读磁头用巨磁电阻薄膜研究进展,材料导报,1998,12(4):20-23。[3] 
参考资料
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